场效应管与三极管有什么区别？

场效应管在很大程度上与三极管许多应用场景相似。在某些控制开关的应用场景中，两者似乎可以相互替代。然而，两者之间的差异导致了不同的应用场景和不同的使用特性（频率）.功耗等）。

1.两者的基本物理模型不同

三极管的理想模型是流控电流源，场效应管的理想物理模型是压控电流源。

2.不同的输入阻抗

三极管是一种电流控制装置，通过控制基极电流来控制输出电流。因此，基极总是有一定的电流，因此三极管的输入电阻较低；现场效应管是电压控制装置，其输出电流决定了电网源极之间的电压，电网基本上不采取电流，因此其输入电阻很高，可高达1MΩ～100000MΩ。场效应管的突出优点是输入电阻高。

3.完全导通（饱和状态）的等效电阻值不同

三极管导通时，等效电阻值大，场效应管导通电阻小，只有几十毫欧姆和几毫欧姆。在目前的电气设备中，场效应管通常用作开关，其效率相对较高。

常用于实际工作Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。Ib*β=V/R算出的Ib这个值，只是使晶体管进入初始饱和状态，实际上应该取这个值的几倍以上，才能达到真正的饱和度;

BJT的CE可以实现的最小电压差是一个固定值，因此随着电流的增加，功耗是Ice*Vce。对于9013.9012，饱和时Vce小于0.6V，Vbe小于1.2V。下面是9013的特征表：

BCP56是一种特征参数表，常用于开关控制功能的三极管，其特征参数表Vce（sat）也是最大值0.5V

饱和区的现象现象：PN结均正偏Vce（sat）最大值，即两个二极管正导电压的压差，可能很小，半导体制造商保证这个压差BJT的最大值是0.6V。这个值可能非常接近0，但一般来说，IC与温度有关。

在某些极限条件下，这个值不能保证很小。

MOSFET和BJT不同之处在于，他处于完全导通状态，体现出稳定的导通电阻(称为：Rds（on）），压差不稳定。

导通电阻Rds(ON)是场效应管（MOSFET）一个重要参数。

什么是Rds(ON)？

Rds(ON)是MOSFET工作(启动)时，漏极D和源极S之间的电阻值为欧姆。对于同类MOSFET器件，Rds(on)工作时的损耗(功率损耗)越小，数值越小。

mos管工作电路

对于一般晶体管，用于功耗的收集电极饱和电压（VCE(sat)）集电极电流（IC）表示：

PD=(集电极饱和电压VCE(sat)）x(集电极电流IC）

对于MOSFET，泄漏电源的间导电电阻（Rds(ON)）计算。MOSFET消耗的功率PD用MOSFET自身具有的Rds(ON)乘以漏极电流（ID)平方表示：

PD=(导通电阻Rds(ON)）x（漏极电流ID）2

由于消耗的功率会变成散热，这将对设备产生负面影响，因此在电路设计中会采取一定的对策来减少热量，即降低功耗。

由于MOSFET发热元凶是导通电阻Rds(ON)，性能高的很多MOSFET的Rds(ON)在1mΩ级以下。

与一般晶体管相比，MOSFET功耗很小，所以热量也很小。因此，它也更适合开关电源的开关管。因为开关管本身的功耗越小，电源输出端获得的能量越多，整体效率越高。