HXTS0810SP3是一款高隔离、低插损、高线性的单刀双掷开关。HXTS0810SP3型开关采用16引脚3mmx3mm表贴无引线塑料封装。引脚焊盘镀层为Sn或NiPdAu。
● 工作频段： DC～13GHz
● 低插损： 0.8dB典型值@10K～6GHz
● 高隔离度：
50dB@10K～6GHz
38dB@6GHz～8GHz
30dB@8GHz～13GHz
● 封装尺寸： 16引脚QFN，3mmx3mm
● 基站通信
● 无线基础设施
● 汽车电子
● 仪器仪表
(TA=+25℃，VCTRL=0/3.3V，VSS=-2.4V，VDD=LS=3.3V)
参数名称 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
RF频率范围 |
| DC～13 | GHz | ||
插损 | 10K～6GHz |
| 0.8 |
| dB |
6GHz～8GHz |
| 1.2 |
| dB | |
8GHz～13GHz |
| 1.8 |
| dB | |
隔离 | 10K～6GHz |
| 50 |
| dB |
6GHz～8GHz |
| 38 |
| dB | |
8GHz～13GHz |
| 30 |
| dB | |
回波损耗 | 开态 |
| -15 |
| dB |
关态 |
| -10 |
| dB | |
相位一致性 |
|
| 0 | 1.5 |
|
振幅一致性 |
|
| 0 | 0.1 | dB |
偏置电压(VDD) |
| 3 |
| 5.3 | V |
偏置电流(IDD) |
|
|
| 1 | mA |
上升下降时间 | 10%to 90%RF output |
| 30 |
| ns |
开关时间 | 50%VCTRL to 10%/90%RF |
| 120 |
| ns |
推荐输入功率 | 插损态 |
|
| 31 | dBm |
隔离态 |
|
| 26 | dBm | |
注：
1、测试仪器最低频率到10K,故只显示10K以上测试数据
2.芯片内部没有集成DC/DC变换模块，故芯片正/负电(VDD/VSS)都必须加上，VSS的范围为-2.0～-2.4(V)
型号 | 描述 | 频段 | 低插损 | 隔离度 | 回波损耗 | Vs | Is | 工作温度 | 封装 |
单刀双掷 | 0.1-6 | 0.65～1 | 60dB@0.1GHz～2GHz 50dB@2GHz～4GHz 45dB@4GHz～6GHz | 20 | 3.3 | 1 | -40~85 | 3×3 | |
单刀四掷 | 0.1-6 | 0.8～1.4 | 65dB@0.1GHz～2GHz 55dB@2GHz～4GHz 42dB@4GHz～6GHz | 20 | 3.3 | 1 | -40~85 | 3×3 | |
单刀双掷 | DC-8 | 0.65～1 | 50dB@DC～2GHz 40dB@2GHz～6GHz 32dB@6GHz～8GHz | 16 | 3.3 | 1 | -45~85 | 3×3 | |
单刀双掷 | DC-8 | 0.65～1 | 65dB@9KHz～10MHz | 16 | 3～5.3 | 1 | -40~85 | 3×3 | |
反射式SPDT | DC-4 | 0.5 | 45 | 20 | 5 |
| -55~85 | 3×3 |
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